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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
総合得点
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
総合得点
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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考慮すべき理由
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
43
周辺 -95% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.4
14.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.0
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
22
読み出し速度、GB/s
14.9
17.4
書き込み速度、GB/秒
9.6
13.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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