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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
総合得点
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
総合得点
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.9
14.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
43
周辺 -39% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.4
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
31
読み出し速度、GB/s
14.9
14.8
書き込み速度、GB/秒
9.6
11.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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