Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

総合得点

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

総合得点

Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

考慮すべき理由
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

29 43

周辺 -48% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16.6 14.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

15.2 9.6

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 12800

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

43 29
読み出し速度、GB/s

14.9 16.6
書き込み速度、GB/秒

9.6 15.2
メモリ帯域幅、mbps

12800 17000

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2506 3629

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB

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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

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Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB

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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB

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SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB

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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

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Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB

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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

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Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

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Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB

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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

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G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB

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