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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
総合得点
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
総合得点
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
43
周辺 -87% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17
14.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
23
読み出し速度、GB/s
14.9
17.0
書き込み速度、GB/秒
9.6
12.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
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RAM Latency Calculator
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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