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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
総合得点
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
総合得点
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.9
14
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
43
周辺 -34% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.3
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
32
読み出し速度、GB/s
14.9
14.0
書き込み速度、GB/秒
9.6
11.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2506
2660
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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