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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
総合得点
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
総合得点
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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考慮すべき理由
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
43
周辺 -43% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17
14.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.9
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
30
読み出し速度、GB/s
14.9
17.0
書き込み速度、GB/秒
9.6
12.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2506
3255
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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