RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
バグを報告する
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 43
    周辺 -23% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 14.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.3 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    14.9 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 11.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2506 left arrow 2848

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAMの比較

A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-024.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-024.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
メモリRAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
メモリRAM