Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

総合得点

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

総合得点

Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

4 16.3

テスト平均値

Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

31 69

周辺 -123% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

12.9 1,857.7

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 6400

周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

69 31
読み出し速度、GB/s

4,217.2 16.3
書き込み速度、GB/秒

1,857.7 12.9
メモリ帯域幅、mbps

6400 19200

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

668 3120

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB

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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB

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