Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB

総合得点

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

総合得点

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

4 15.3

テスト平均値

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 69

周辺 -188% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

11.5 1,857.7

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 6400

周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

69 24
読み出し速度、GB/s

4,217.2 15.3
書き込み速度、GB/秒

1,857.7 11.5
メモリ帯域幅、mbps

6400 21300

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

668 2744

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Kingston 9965600-005.A01G 16GB

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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

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Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB

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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

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Kingston 9905624-004.A00G 4GB

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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

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