RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.5
    テスト平均値
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 69
    周辺 -165% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 1,857.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    4,217.2 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,857.7 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    668 left arrow 2891

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
メモリRAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
メモリRAM
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
メモリRAM