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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
総合得点
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
総合得点
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
4
10
テスト平均値
考慮すべき理由
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
52
69
周辺 -33% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.6
1,857.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
69
52
読み出し速度、GB/s
4,217.2
10.0
書き込み速度、GB/秒
1,857.7
7.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
668
2169
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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