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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
比較する
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
総合得点
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
総合得点
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
17.2
テスト平均値
考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
69
周辺 -214% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.0
1,857.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
69
22
読み出し速度、GB/s
4,217.2
17.2
書き込み速度、GB/秒
1,857.7
13.0
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
668
3007
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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