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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
総合得点
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
総合得点
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
18.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
69
周辺 -97% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
14.2
1,857.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
69
35
読み出し速度、GB/s
4,217.2
18.4
書き込み速度、GB/秒
1,857.7
14.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
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