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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

総合得点
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

総合得点
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB 考慮すべき理由
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    50 left arrow 69
    周辺 -38% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    5 left arrow 4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    1,905.1 left arrow 1,857.7
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 50
  • 読み出し速度、GB/s
    4,217.2 left arrow 5,143.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,857.7 left arrow 1,905.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    668 left arrow 855

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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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