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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Maxsun MSD48G30Q3 8GB

総合得点
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

総合得点
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Maxsun MSD48G30Q3 8GB

Maxsun MSD48G30Q3 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.5
    テスト平均値
Maxsun MSD48G30Q3 8GB 考慮すべき理由
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    68 left arrow 69
    周辺 -1% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.1 left arrow 1,857.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 68
  • 読み出し速度、GB/s
    4,217.2 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,857.7 left arrow 8.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    668 left arrow 1925

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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Kingston 9965640-035.C00G 32GB
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メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Kingston 9965589-008.D01G 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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