Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

総合得点

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

総合得点

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

4 16.9

テスト平均値

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

33 69

周辺 -109% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

10.4 1,857.7

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 6400

周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

69 33
読み出し速度、GB/s

4,217.2 16.9
書き込み速度、GB/秒

1,857.7 10.4
メモリ帯域幅、mbps

6400 25600

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

668 3035

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

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Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

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Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB

Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB

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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

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Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

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