RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB

Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 16.1
    テスト平均値
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB 考慮すべき理由
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 46
    周辺 -48% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 3200
    周辺 6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 16.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 3022

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
メモリRAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
メモリRAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
メモリRAM