RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 47
    周辺 2% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 11.8
    テスト平均値
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB 考慮すべき理由
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.2 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 3200
    周辺 6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 47
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 11.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 9.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 2323

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
メモリRAM