RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB

Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 14.8
    テスト平均値
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB 考慮すべき理由
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 46
    周辺 -48% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.4 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 3200
    周辺 5.31 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 14.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 11.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 3122

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB RAMの比較

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
メモリRAM