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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
総合得点
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
総合得点
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
18.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
21
46
周辺 -119% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.6
1,519.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
3200
周辺 5.31 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
21
読み出し速度、GB/s
2,909.8
18.6
書き込み速度、GB/秒
1,519.2
13.6
メモリ帯域幅、mbps
3200
17000
Other
商品説明
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
241
3243
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
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