RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 18.2
    テスト平均値
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 46
    周辺 -53% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 3200
    周辺 5.31 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 18.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 2947

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB RAMの比較

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
メモリRAM
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
メモリRAM