RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 15.7
    テスト平均値
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 46
    周辺 -77% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.9 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 3200
    周辺 5.31 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 11.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 2706

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston ASU1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston ASU1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
メモリRAM