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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
総合得点
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
総合得点
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
16.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
21
46
周辺 -119% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.5
1,519.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
16000
3200
周辺 5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
21
読み出し速度、GB/s
2,909.8
16.1
書き込み速度、GB/秒
1,519.2
13.5
メモリ帯域幅、mbps
3200
16000
Other
商品説明
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16000, 1.2V, TBD1 V, TBD2 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
3-3-3-12 / 400 MHz
no data
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
241
3435
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Frequency (Mhz) *
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