RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 15.2
    テスト平均値
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB 考慮すべき理由
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 46
    周辺 -53% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 3200
    周辺 6.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 15.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 11.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 2917

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
メモリRAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
メモリRAM