RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 19.4
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 46
    周辺 -84% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 3200
    周辺 5.31 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 19.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 16.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 3912

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
メモリRAM