RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 17.8
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 46
    周辺 -70% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 3200
    周辺 5.31 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 17.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 13.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 3299

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
メモリRAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
メモリRAM