RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 17.2
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 46
    周辺 -48% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 3200
    周辺 5.31 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 15.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 3652

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
メモリRAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
メモリRAM
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
メモリRAM