Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB

Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB

相違点

  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 16.8
    テスト平均値
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 46
    周辺 -53% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 3200
    周辺 5.31 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 8 13 18 23 29 34 35 36 37 38
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    241 left arrow 2996
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較