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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston XG9XKG-MIE 16GB

総合得点
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
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Kingston XG9XKG-MIE 16GB

Kingston XG9XKG-MIE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 55
    周辺 16% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 17.2
    テスト平均値
Kingston XG9XKG-MIE 16GB 考慮すべき理由
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 3200
    周辺 8 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 55
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 14.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 2870

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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
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メモリRAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
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JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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