RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 0000 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kllisre 0000 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
Kllisre 0000 8GB

Kllisre 0000 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 49
    周辺 6% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 10.9
    テスト平均値
Kllisre 0000 8GB 考慮すべき理由
Kllisre 0000 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.9 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 3200
    周辺 6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 0000 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 49
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 10.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 2220

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Kllisre 0000 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 0000 8GB
Kllisre 0000 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
メモリRAM
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
メモリRAM