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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
総合得点
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
総合得点
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
14.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
46
周辺 -64% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.6
1,519.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
3200
周辺 6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
28
読み出し速度、GB/s
2,909.8
14.4
書き込み速度、GB/秒
1,519.2
8.6
メモリ帯域幅、mbps
3200
19200
Other
商品説明
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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Frequency (Mhz) *
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