RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 17.9
    テスト平均値
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 46
    周辺 -119% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 3200
    周辺 6.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 21
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 17.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 13.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 3167

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
メモリRAM
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
メモリRAM