RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 16.1
    テスト平均値
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB 考慮すべき理由
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 46
    周辺 -53% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 3200
    周辺 6.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 16.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 3140

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3L/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3L/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
メモリRAM