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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
総合得点
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
総合得点
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
16.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,451.8
12.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
65
周辺 -183% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
23
読み出し速度、GB/s
4,605.9
16.4
書き込み速度、GB/秒
2,451.8
12.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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Frequency (Mhz) *
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