RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 17.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,451.8 left arrow 10.8
    テスト平均値
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 65
    周辺 -124% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    4,605.9 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,451.8 left arrow 10.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    878 left arrow 3111

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
メモリRAM