RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 19.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,451.8 left arrow 16.7
    テスト平均値
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 65
    周辺 -183% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    4,605.9 left arrow 19.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,451.8 left arrow 16.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    878 left arrow 4015

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
メモリRAM
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
メモリRAM
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
メモリRAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
メモリRAM
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
メモリRAM