RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

総合得点
star star star star star
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,451.8 left arrow 15.7
    テスト平均値
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    48 left arrow 65
    周辺 -35% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 48
  • 読み出し速度、GB/s
    4,605.9 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,451.8 left arrow 15.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    878 left arrow 3047

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB RAMの比較

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
メモリRAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
メモリRAM