RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 13.2
    テスト平均値
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 60
    周辺 -114% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 2,096.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    4,168.7 left arrow 13.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,096.4 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    693 left arrow 1989

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
メモリRAM
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
メモリRAM