RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB

A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 17.5
    テスト平均値
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 60
    周辺 -54% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 2,168.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 5300
    周辺 4.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    4,595.2 left arrow 17.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,168.2 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    941 left arrow 2852

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB

A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
メモリRAM
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
メモリRAM