RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 18
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,168.2 left arrow 13.0
    テスト平均値
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 60
    周辺 -114% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    4,595.2 left arrow 18.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,168.2 left arrow 13.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    941 left arrow 3188

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
メモリRAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
メモリRAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
メモリRAM