RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 20.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,168.2 left arrow 16.0
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    17 left arrow 60
    周辺 -253% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 17
  • 読み出し速度、GB/s
    4,595.2 left arrow 20.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,168.2 left arrow 16.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    941 left arrow 3550

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
メモリRAM