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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB

総合得点
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

総合得点
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Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB

Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 20
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,168.2 left arrow 17.5
    テスト平均値
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB 考慮すべき理由
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 60
    周辺 -216% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    4,595.2 left arrow 20.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,168.2 left arrow 17.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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