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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905744-066.A00G 32GB
総合得点
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
総合得点
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
17.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,168.2
14.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
47
60
周辺 -28% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
5300
周辺 4.83 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
60
47
読み出し速度、GB/s
4,595.2
17.8
書き込み速度、GB/秒
2,168.2
14.7
メモリ帯域幅、mbps
5300
25600
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
941
3099
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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