RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB

Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 20.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,168.2 left arrow 15.2
    テスト平均値
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB 考慮すべき理由
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 60
    周辺 -88% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    4,595.2 left arrow 20.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,168.2 left arrow 15.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    941 left arrow 3483

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB

Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
メモリRAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
メモリRAM