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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
総合得点
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
総合得点
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
19.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,168.2
13.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
60
周辺 -76% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
5300
周辺 4.83 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
60
34
読み出し速度、GB/s
4,595.2
19.9
書き込み速度、GB/秒
2,168.2
13.9
メモリ帯域幅、mbps
5300
25600
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
941
3271
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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