RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 10.4
    テスト平均値
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    54 left arrow 60
    周辺 -11% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 2,168.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 5300
    周辺 4.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 54
  • 読み出し速度、GB/s
    4,595.2 left arrow 10.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,168.2 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    941 left arrow 2259

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB RAMの比較

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
メモリRAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
メモリRAM