RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB

Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    60 left arrow 81
    周辺 26% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 14.4
    テスト平均値
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB 考慮すべき理由
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.9 left arrow 2,168.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 81
  • 読み出し速度、GB/s
    4,595.2 left arrow 14.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,168.2 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    941 left arrow 1824

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB

Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB RAMの比較

Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
メモリRAM
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
メモリRAM