RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 11.6
    テスト平均値
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 60
    周辺 -30% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 2,168.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 46
  • 読み出し速度、GB/s
    4,595.2 left arrow 11.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,168.2 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    941 left arrow 2571

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB

SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
メモリRAM