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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
比較する
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
総合得点
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
総合得点
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
60
68
周辺 12% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
4
16.2
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
8.1
2,168.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
60
68
読み出し速度、GB/s
4,595.2
16.2
書き込み速度、GB/秒
2,168.2
8.1
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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