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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
比較する
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
総合得点
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
総合得点
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
17.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,784.6
13.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
65
周辺 -195% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
22
読み出し速度、GB/s
4,806.8
17.3
書き込み速度、GB/秒
2,784.6
13.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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